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        RIE反應離子刻蝕機

          CIF推出RIE反應離子刻蝕機,采用RIE反應離子誘導激發方式,實現對材料表面各向異性的微結構刻蝕。特別適合于大學,科研院所、微電子、半導體企業實驗室進行介質刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低,性價比高,易維護,處理快速高效。適用于所有的基材及復雜的幾何構形進行RIE反應離子刻蝕。

          更新時間:2023-08-21 10:57:44
        1. 詳細信息

        CIF推出RIE反應離子刻蝕機,采用RIE反應離子誘導激發方式,實現對材料表面各向異性的微結構刻蝕。特別適合于大學,科研院所、微電子、半導體企業實驗室進行介質刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低,性價比高,易維護,處理快速高效。適用于所有的基材及復雜的幾何構形進行RIE反應離子刻蝕。具體包括:

        介電材料(SiO2、SiNx等)

        硅基材料(Si,a-Si,poly Si)

        III-V材料(GaAs、InP、GaN等)

        濺射金屬(Au、Pt、Ti、Ta、W等)

        類金剛石(DLC)

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        RIE反應離子刻蝕機產品特點:

        PLC工控機控制整個清洗過程,全自動進行。

        7寸彩色觸摸屏互動操作界面,圖形化操作界面顯示,自動監測工藝參數狀態,0~99配方程序,可存儲、輸出、追溯工藝數據,機器運行、停止提示。

        手動、自動兩種工作模式。

        全真空管路系統采用316不銹鋼材質,耐腐蝕無污染。

        采用防腐數字流量計控制標配雙路氣體輸送系統,可選多氣路氣體輸送系統,氣體分配均勻。可輸入氧氣、氬氣、氮氣、四氟化碳、氫氣或混合氣等氣體。

        具備HEPA高效過濾氣體返填吹掃功能。

        符合人體功能學的60度傾角操作界面設計,操作方便,界面友好。

        316不銹鋼、航空鋁真空倉選擇。

        采用頂置真空倉,上開蓋設計下壓式鉸鏈開關方式上置式360度水平取放樣品設計,符合人體功能學,操作更方便。

        有效處理面積大,可處理最大直徑200mm晶元硅片。

        安全保護,倉門打開,自動關閉電源。

        RIE反應離子刻蝕機技術參數

        型號

        RIE200

        RIE200plus

        艙體尺寸

        H38xΦ260mm

        H38xΦ260mm

        艙體容積

        2L

        2L

        射頻電源

        40KHz

        13.56MHz

        電極

        不銹鋼氣浴RIE電極,Φ200mm

        不銹鋼氣浴RIE電極,Φ200mm

        匹配器

        自動匹配

        自動匹配

        刻蝕方式

        RIE

        RIE

        射頻功率

        10-300W可調(可選10-1000W)

        10-300W可調(可選10-600W)

        氣體控制

        質量流量計(MFC)(標配雙路,可選多路)流量范圍0-500SCCM(可調)

        工藝氣體

        ArN?O?、H?CF4CF4+ H2CHF3或其他混合氣體等(可選)

        最大處理尺寸

        Φ200mm

        時間設定

        1-99分59秒

        真空泵

        抽速約8m3/h

        氣體穩定時間

        1分鐘

        極限真空

        1Pa

        AC220V 50-60Hz,所有配線符合《低壓配電設計規范 GB50054-95》、《低壓配電裝置及線路設計規范》等國標標準相關規定。

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        當等離子蝕刻應用涉及使用氧氣作為工藝氣體時,出于安全原因,強烈建議使用Edwards愛德華真空泵 RV3雙級旋片泵或類似的合成油旋轉機械泵。因為Edwards愛德華RV3雙級旋片泵泵科學應用方面已成為行業標準。當然,在需要避免使用油基旋轉機械泵的地方,也可選擇干式真空泵。


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